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杭州奥趋光电公司首席执行官吴亮博士来访宁波材料
作者：，日期：2022-10-03
　　9月27日下午，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所硅基太阳电池及宽禁带半导体团队邀请，杭州奥趋光电公司首席执行官吴亮博士来访宁波材料所并进行了学术交流。本次报告主题为超宽禁带半导体AlN单晶生长技术最新进展及其面临挑战，报告会由郭炜研究员主持。
　　对于宽禁带半导体领域的研究，高质量AlN单晶的生长是至关重要的问题。吴亮首先将AlN材料与其他宽禁带材料从热学、电学等方面的性能进行了分析和比较，展现了AlN在高频和高功率应用场景下的突出优势，同时回顾了生长AlN单晶的不同技术的发展及其所面临的困难和挑战。随后，吴亮对AlN单晶的PVT生长系统及设备、模拟仿真软件、晶体生长及单晶衬底制备的工艺进行了详细的介绍，并展示了奥趋光电在该领域研究的最新进展。报告结束后，与会人员围绕氮化铝等超宽禁带半导体材料的技术开发和器件应用展开了热烈讨论。在关于模拟仿真生长软件的适用、SiC衬底生长AlN的优缺点以及AlScN材料未来的发展前景等问题方面，吴亮与在座师生进行了深入的交流和讨论。吴亮指出，当前AlN超宽禁带半导体衬底的国内市场虽然需求潜力巨大，但产业链还很不成熟，这导致衬底成本过高、与高质量衬底配套的MOCVD外延工艺不成熟等问题。但随着市场教育的不断深入，大尺寸、高质量的AlN单晶衬底必将在半导体器件领域获得广泛应用并体现其在高导热率、高透光性等方面的特殊优势。
　　吴亮还表示，叶继春研究员带领的团队底蕴深厚，人才济济，在宽禁带半导体氮化镓、氧化镓材料与器件取得了诸多领域领先成果。基于氮化铝单晶的器件在国内的基础还比较薄弱，双方的合作将对促进相关技术突破、人才培养等具有重要意义。交流期间，吴亮博士还参观了浙江省能源光电子工程中心平台的相关仪器设备，双方就下一步基于浙江省重点研发计划、宁波市相关项目合作研究具体方式深入交换了意见，并就未来双方的人才交流、产学研合作等事项达成了共识。

报告现场
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