宁波材料所组织参加第6届国际薄膜晶体管计算机辅助设计会议

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作者：，日期：2014-10-31

　　10月15-17日,第6届国际薄膜晶体管计算机辅助设计会议(CAD-TFT 2014)及2014薄膜晶体管技术与应用研讨会在南京举行。宁波材料所研究员曹鸿涛、副研究员竺立强、博士刘宁和刘阳辉参加了会议。

　　会上，曹鸿涛作了题为“Conduction Conversion from p- to Ambipolar-type SnO Thin Film Transistors caused by the Hole Collector at the Back Channel Interface”的邀请报告，介绍了可同时传导电子和空穴的双极性薄膜晶体管，分析了器件的工作模式及其反相器应用。

　　竺立强作了题为“Short-Term Synaptic Plasticity and Synaptic Network Mimicked on Oxide Electric Double Layer Thin-Film Transistors Arrays”的报告，介绍了双电层氧化薄膜晶体管的基本工作模式，并以此为基础详细分析了器件在人造神经突触中的应用。

　　刘阳辉作了题为“Flexible Oxide TFTs Gated by Sodium Alginate Film on Paper Substrates”的口头报告，介绍了海藻酸钠双电层效应的形成机理、纸张衬底双电层薄膜晶体管的制作工艺、及其在低电压逻辑电路中的应用。

　　刘宁作了题为“Low-voltage Solution-processed Chitosan-Gated Flexible Oxide-based Electric-double-layer Transistor for Hydrogen Ion Detection”的口头报告，介绍了双电层的形成机理、壳聚糖的双电层效应、柔性双电层薄膜晶体管的制作工艺，并展示了低工作电压双电层薄膜晶体管在便携式传感器件中的应用。刘宁还获得了大会最佳口头报告奖。

背景介绍：CAD-TFT2014是由国际电气和电子工程师协会（IEEE）作为Technical Sponsor，在南京经济开发区和南京光电技术研究院的支持下，由上海交通大学TFT-LCD关键材料与技术国家工程实验室和英国剑桥大学电子工程系联合举办，是TFT领域唯一得到IEEE技术支持的顶级国际学术会议，为国内TFT技术和相关领域的专家学者提供了良好的学术交流平台。

（新能源所/纳米事业部）

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